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秦皇岛供应IGBT驱动,可靠稳定,性能优良

2022-10-19 01:11:01  424次浏览 次浏览
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

提供适当的正反向电压,使IGBT能可靠地开通和关断。当正偏压增大时IGBT通态压降和开通损耗均下降,但若ce过大,则负载短路时其c随ce增大而增大,对其不利,使用中选GE《15V为好。负偏电压可防止由于关断时浪涌电流过大而使IGBT误导通,一般选UGE -- 5V为宜。

采用脉冲变压器隔离驱动IGBT,该方式是利用变压器的工作原理,由次级感应电压直接驱动IGBT,如上图1所示。由于变压器具有阻抗变换与隔离作用,所以这种驱动方式不仅简化了驱动电路,还解决了驱动电路的供电与 IGBT不共地的连接问题。

在IGBT关断期间,由于电路中其他部分的工作,会在栅极电路中产生一些高频振荡信号,这些信号轻则会使本该截止的IGBT处于微通状态,增加管子的功耗。重则将使调压电路处于短路直通状态。因此,给处于截止状态的IGBT加一反向栅压(幅值一般为5~15 V),使IGBT在栅极出现开关噪声时仍能可靠截止。

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