氧化硅抛光液 氧化硅抛光液（CMP抛光液）是以高纯硅粉为原料，经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品。 广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光，如：硅晶圆片、锗片、化合物半导体材料砷化镓、磷化铟，精密光学器件、蓝宝石片等的抛光加工。

这两个概念主要出半导体加工过程中，初的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。

硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程，要获得质量好的抛光片，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用，则表面产生高损伤层。

CMP抛光液利用“软磨硬”的原理很好的实现了蓝宝石表面的精密抛光。随着LED行业的快速发展，聚晶金刚石研磨液及二氧化硅溶胶抛光液的需求也与日俱增。

多晶金刚石研磨液是利用多晶金刚石良好的韧性制成的研磨液，在研磨抛光过程中能够保持高磨削力的同时不易产生划伤，为后续精密抛光加工提供了良好的条件。广泛用于光学晶体、陶瓷、超硬合金等各种硬质材料的研磨和抛光。

一些制样技术对金刚石抛光剂的要求更高, 并且对一种特殊的制样方法确切知道需要何种金刚石抛光剂是非常必要的。 对试样的要求高意味对研磨剂要进行临界选择(多晶的金刚石, P) 但是只要一个可接受的试样，使用价格便宜的金刚石产品(单晶金刚石, M)就足够了。制样时选择金刚石产品，制样的质量、时间和成本都必须综合起来考虑。

金刚石晶粒大小的分布与各晶粒大小之间的差距应尽可能的小，这是非常重要的。 因为如果在抛光剂中存在单个的金刚石大晶粒，那么试样表面由它们形成的划痕将无法在后道工序中消除。 反之，晶粒太小又不利于试样的磨削。因此，控制粒度分布在金刚石产品的生产中是非常重要的。